Показано с 1 по 1 из 1.

Германий позволит AMD повысить быстродействие транзисторов на 40%

  1. #1
    Global Moderator Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Репутация Аватар для ALEX(XX)
    Регистрация
    31.03.2005
    Адрес
    Чернигов
    Сообщений
    10,777
    Вес репутации
    3704

    Германий позволит AMD повысить быстродействие транзисторов на 40%

    Компании IBM и AMD продолжают сотрудничать в технологической сфере, что позволяет последней успешно внедрять новые техпроцессы. Как сообщается в опубликованном вчера на сайте AMD пресс-релизе, на проходящей в эти дни конференции IEDM 2005 обе компании отчитались об успехах в подготовке 0.065 мкм техпроцесса к массовому производству. Как вы можете помнить, AMD начнёт выпускать 0.065 мкм процессоры во второй половине 2006 года, а к середине 2007 года планирует полностью перевести производство на 0.065 мкм техпроцесс.

    Итак, в обозримом будущем AMD начнёт использовать три технологии, обеспечивающие улучшение характеристик выпускаемых процессоров в части быстродействия и энергопотребления:

    Embedded Silicon Germanium (e-SiGe) - внедряемое соединение кремния и германия. Вокруг транзистора p-типа создаётся канавка, заполняемая соединением германия. Призвана увеличить плотность размещения атомов.
    Stress Memorization Technology (SMT) - технология "запоминания" напряжённого состояния. Используется применительно к транзисторам n-типа. Призвана уменьшить плотность размещения атомов.
    Dual Stress Liner (DSL) - уже известная по 0.13 мкм версии Athlon 64 FX-55 и старшим моделям 0.09 мкм Athlon 64 технология "растянутого кремния". В данный момент достигла третьего поколения в своём развитии.

    Не вдаваясь в технические подробности, сообщим, что сочетание этих трёх технологий теоретически позволяет повысить быстродействие транзисторов на 40%, либо на эти же 40% снизить уровень энергопотребления при сохранении неизменного уровня быстродействия. AMD собирается также использовать диэлектрики с более низким значением диэлектрической константы (low-k). Важно, что нынешний вариант технологии SiGe требует значительно меньших объёмов германия, и это позволяет добиться некоторой экономии, а также простоты изготовления.

    AMD собирается применять рассмотренные технологии при производстве 0.065 мкм процессоров, хотя ничто не мешает внедрить какие-то элементы ещё на стадии производства 0.09 мкм процессоров. Например, чтобы повысить частотный потенциал или снизить уровень энергопотребления новых моделей 0.09 мкм процессоров, выпускаемых в следующем году. Более того, первые ревизии 0.065 мкм процессоров могут отказаться от использования этих сложных технологий с целью снижения риска задержки миграции на 0.065 мкм техпроцесс.

    Практические значения прироста частотного потенциала или экономии энергии могут существенно отличаться от теоретических 40%, но внедрение новых технологий всё равно улучшает характеристики процессоров. Будем надеяться, что на разгонном потенциале процессоров AMD эти нововведения скажутся лучшим образом.

    Источник: overclockers.ru
    Left home for a few days and look what happens...

  2. Реклама
     

Похожие темы

  1. Ответов: 0
    Последнее сообщение: 03.08.2012, 13:10
  2. Компьютер не позволит считать карты в казино
    От ScratchyClaws в разделе Высокие технологии
    Ответов: 0
    Последнее сообщение: 12.10.2009, 11:19
  3. Apple позволит человеку слиться с ПК
    От SDA в разделе Высокие технологии
    Ответов: 0
    Последнее сообщение: 03.10.2009, 14:12
  4. Новый проект поможет повысить защищенность DNS серверов
    От ALEX(XX) в разделе Новости компьютерной безопасности
    Ответов: 0
    Последнее сообщение: 31.07.2009, 20:17
  5. Ответов: 0
    Последнее сообщение: 25.07.2009, 09:43

Свернуть/Развернуть Ваши права в разделе

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •  
Page generated in 0.00402 seconds with 18 queries